Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/11426
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorІжнін, І. І.-
dc.date.accessioned2012-02-09T09:35:25Z-
dc.date.available2012-02-09T09:35:25Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.citationІжнін І. І. Легкі дірки в CdxHg1-xTe / І. І. Іжнін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 121–126. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11426-
dc.description.abstractУ роботі експериментально визначено параметри важких та легких дірок (концентрацію та рухливість) в однорідних зразках р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) на основі дослідження польових залежностей коефіцієнта Холла та порівняно з результатами теоретичних розрахунків концентрацій на основі сучасних уявлень про параметри матеріалу. Отримані дані про параметри легких дірок дають можливість врахувати вплив цих носіїв на явища переносу в багатошарових структурах на основі CdxHg1-xTe. The parameters of heavy and light holes (concentration and mobility) for homogeneous samples of р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) were determined from investigation of the Hall coefficient field dependencies. These data have been compared with results of theoretical computations based on the modern knowledge of the material’s parameters.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleЛегкі дірки в CdxHg1-xTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Електроніка. – 2000. – №397

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
22.pdf1.62 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.