Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/11419
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЗаячук, Д. М.-
dc.contributor.authorРибак, В. М.-
dc.contributor.authorРибак, О. В.-
dc.date.accessioned2012-02-09T09:23:23Z-
dc.date.available2012-02-09T09:23:23Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.citationЗаячук Д. М. Особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію / Д. М. Заячук, В. М. Рибак, О. В. Рибак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 11–17. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11419-
dc.description.abstractДосліджена взаємодія трийодиду гадолінію з As і GaAs, яка значною мірою визначає процеси зростання мікрокристалів GaAs методом хімічних транспортних реакцій в йодидних системах під впливом домішки гадолінію. Показано, що масоперенос GdI3 з зони джерела в зону кристалізації носить активаційний характер. Визначена енергія активації процесу, яка виявилась такою, що дорівнює (0,60 ± 0,015) еВ. Показано, що до температури 1 100 оС GdI3 не взаємодіє з еле- ментарним As, але взаємодіє з GaAs. Така взаємодія стимулює зростання мікро-кристалів GaAs і впливає на стан їх поверхні. Виявлено, що збільшення концентрації домішки Gd в джерелі для вирощування мікрокристалів GaAs спричиняє зростання концентрації вільних електронів у них. Експериментально визначено діапазон концентрацій домішки Gd, оптимальних для вирощування мікро-кристалів GaAs у вигляді прямокутних пластин і стрічок. The interaction of GdI3 with As and GaAs that determines to a considerable extent the growth processes of GaAs by chemical transport reaction method under influence of gadolinium impurity is investigated. It is shown that the GdI3 mass carry from source zone to crystallization one has activation character. The energy of the activation process is determined. It is equal to (0.60 ± 0.015) eV. It is shown that GdI3 does not interact with elementary As to temperature 1 100 oC, but it interacts with GaAs. Such interaction stimulates the GaAs microcrystals growth and influences on the state of their surface. It is found out that increasing of Gd impurity concentration in source for CaAs microcrystals growing causes increasing of free electron concentration. The range of Gd impurity concentration, which is optimal for CaAs microcrystals growing as right-angled plate or tape, is determined by experiment.uk_UA
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleОсобливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолініюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Електроніка. – 2000. – №397

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
02.pdf1.79 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.