https://oldena.lpnu.ua/handle/ntb/10298| Title: | Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN |
| Other Titles: | Применение принципа близкодействия в теории рассеяния електронов в GaN The use of the short-range principle in the electron scattering theory in GaN |
| Authors: | Малик, О. П. Кеньо, Г. В. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Малик О. П. Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN / О. П. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 696 : Фізико-математичні науки. – С. 136–140. – Бібліографія: 26 назв. |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | Видавництво Львівської політехніки |
| Keywords: | явища переносу розсіяння носіїв заряду нітрид галію transport phenomena charge carrier scattering gallium nitride явление переноса рассеяние носителей заряда нитрид галия |
| Abstract: | Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated. |
| URI: | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/10298 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Фізико-математичні науки. – 2011. – №696 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.